В приборе реализованы сразу два рефлектометра: рефлектометр с мощным импульсом и высоким разрешением + цифровой вейвлет-рефлектометр, сглаживающий "горбатые" энергетические кабели, с импульсом повышенной проходимости и чувствительности к повреждениям.

Мост для измерения параметров всех типов кабелей и поиска дефектов до 20 МОм в низковольтной распределительной сети.

Цветной графический дисплей 800х480.

Цифровой вейвлет-рефлектометр

• Вейвлет-рефлектометр, уникальный метод: локализация разбаланса пары (поиск   DSL-повреждений); локализация асимметрии жил (заменяет двухканальный рефлектометр): в методе рефлектограммы двух жил вычитаются, тем самым локализуется место повреждения.

Стандартный рефлектометр.

• Диапазоны измеряемых рефлектометром расстояний 131, 262, 523, 1046, 2093, 4186, 8371, 16742, 33485, 66970, 133939 м.
• Максимальное разрешение 0,2 м.
• Перекрываемое затухание не менее 80 дБ.
• Регулируемая амплитуда зондирующего импульса 6 – 18 В с шагом 1 В.
• Длительность зондирующего импульса от 16 до 50000 нс .
• Количество усреднений 2, 4, 8, 16, 32, 64, 128, 256, 512.
• Диапазон установки коэффициента укорочения 1-7 с шагом 0,001.

Характеристики моста

• Диапазон измерения сопротивления изоляции 1 кОм – 50000 МОм.
• Диапазон электрической емкости 0,1 – 2000 нФ.
• Диапазон измерения сопротивления шлейфа 0 – 10 кОм.
• Диапазон измерения напряжения 0 – 300 В.
• Испытательное напряжение 180 В.
• Диапазон Rп в месте повреждения изоляции 0 – 20 МОм.
• Максимальная погрешность локализации дефекта 0,1%+1м (для Rп = 0 – 3 МОм).
• Максимальная погрешность измерения сопротивления шлейфа в диапазоне 0-3000 Ом 0,1%+1 ед, 3 кОм - 10 кОм 0,1 кОм.
• Максимальная погрешность измерения омической асимметрии 0,1%+1 ед.
• Максимальная погрешность измерения сопротивления изоляции:
  • в диапазоне 0 999 кОм 2%+1 ед.
  • в диапазоне 1 МОм 999 Мом 2%+1 ед.
  • в диапазоне 1000 МОм 4999 Мом 5%+1 ед.
  • в диапазоне 5000 МОм 10000 Мом 10% +1 ед.
  • в диапазоне 10000 МОм не нормируется.
• максимальная погрешность измерения электрической емкости 2%+1 ед.